PMMA表面高功率脉冲磁控溅射制备ITO涂层（英文）

发布时间：2022-11-04 17:16

　　采用高功率脉冲磁控溅射技术在PMMA基体上制备了ITO涂层。利用XRD、SEM对涂层进行了相结构的分析,并进行了划痕实验、光电性能测试。结果表明:偏压、氢氩流量比等工艺参数对涂层的相结构、膜基结合力、光电性能均有影响。增大偏压,膜基结合力将增强,偏压达到240 V时,膜基结合力最好（56.5 N）。偏压由0 V增加到160 V的过程中,涂层晶粒增大,透射率变高（由82.24%增至89.82%）,电阻率变低（由0.006571减至0.000543?·cm）。当氢氩流量比由0增至0.05,透射率变低（由89.82%减至56.12%）。氢氩流量比由0增至0.03,电阻率变低（由0.000 543减至0.000 212?·cm）;氢氩流量比由0.03增至0.05,电阻率变高由0.000 212增至0.000 373?·cm)。 

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【文章目录】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
    2.1 Phase structure of coating
    2.2 Bonding strength of coating
    2.3 Photoelectric properties of coating
        2.3.1 Transmittance
        2.3.2 Resistivity
3 Conclusions



本文编号：3701014