氧化铟/硅纳米孔柱阵列酒敏特性研究

发布时间：2022-11-04 20:06

　　自从20世纪90年代以来,In₂O₃作为新型敏感材料其气敏性能得到了国内外广泛的研究。纳米技术经过近半个世纪的快速发展在医疗、卫生、工业、农业、军事、航天等各个领域中得到了极大的应用。同样,纳米技术在传感器方面的应用对于传感器的发展至关重要,采用不同的制备方法获得具有大比表面积的各种形貌结构已是气敏传感器发展的主要方向之一。In₂O₃在气敏方面有着极大的研究潜力,具有灵敏度高、响应和恢复快等优点。本文分别采用化学气相沉积法和真空蒸镀技术在硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）上生长了纳米In₂O₃薄膜,得到了In₂O₃/Si-NPA复合体系。通过改变制备条件对In₂O₃/Si-NPA复合体系的形貌结构进行了调控。分别采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对通过两种方法制备的In₂O₃/Si-NPA复合体系进行了晶体结构和形... 

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
1 绪论
    1.1 传感器概述
    1.2 气体传感器
    1.3 金属氧化物半导体气体传感器
    1.4 纳米氧化铟及其应用
        1.4.1 In_2O_3基本性能
        1.4.2 纳米In_2O_3的应用
        1.4.3 In_2O_3气体传感器
    1.5 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的制备及其气体传感器
        1.5.1 Si-NPA的制备
        1.5.2 基于Si-NPA的气体传感器
    1.6 本文选题依据与研究内容
2 化学气相沉积(CVD)法制备In_3O_2/Si-NPA及其表征
    2.1 纳米In_3O_2的制备方法
    2.2 化学气相沉积法制备纳米In302
    2.3 纳米In_3O_2的结构与形貌表征
        2.3.1 生长时间对In_3O_2纳米结构表面形貌的影响
        2.3.2 生长时间对In_3O_2纳米结构XRD的影响
    2.4 小结
3 真空蒸镀法制备In_3O_2/Si-NPA
    3.1 真空蒸镀法
    3.2 真空蒸镀法制备纳米In_3O_2
    3.3 纳米In_3O_2的结构与形貌表征
        3.3.1 蒸镀时间对In膜形貌的影响
        3.3.2 蒸镀时间对In膜RXD的影响
        3.3.3 退火处理对不同蒸镀时间所得In膜形貌结构的影响
        3.3.4 退火温度对In膜RXD的影响
    3.4 小结
4 In_3O_2/Si-NPA元件的气敏性能测试及分析
    4.1 气敏测试流程
    4.2 In_2O_3/Si-NPA的气敏性能
        4.2.1 CVD法制备In_2O_3/Si-NPA的气敏性能
        4.2.2 真空蒸镀技术制备In_2O_3/Si-NPA的气敏性能
    4.3 小结
5 结论与展望
参考文献
硕士期间完成的论文
致谢


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3701249