Al 2 O 3 多层膜阻变特性及BaTiO 3 物相分析研究

发布时间：2024-07-07 01:32

　　二十一世纪是信息化的时代,近年来人们对数据存储性能和数据处理能力的需求不断提高,这促使了半导体集成工艺和技术的持续改进和创新,同时也加快了下一代存储器件的研究进度以期能够打破摩尔定律的限制。基于阻变效应的存储器件具有优异的数据存储和处理能力以及良好的可延展性和兼容性,有望成为下一代存储器件。钙钛矿氧化物BaTiO₃是一种典型的铁电材料,具有良好的铁电、压电性能以及电阻开关特性。研究表明,由于BaTiO₃具有较大的电光系数,其在光电效应方面也有潜在的应用前景。而同为钙钛矿家族的BiFeO₃是一类在室温下具有铁电性和反铁磁性的单相多铁材料,其独有的特性使它在非易失性阻变存储器等领域有着广阔的应用前景。本课题利用实验室超高真空磁控溅射系统制备了高质量的BaTiO₃、ITO/Al₂O₃/BiFeO₃/Ag、Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO等薄膜结构。控制合适的生长条...

【文章页数】：65 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
    1.2 电阻式随机存储器(ReRAM)
        1.2.1 忆阻器的介绍
        1.2.2 电阻开关现象
        1.2.3 阻变效应形成机理
    1.3 本论文的研究意义和内容
        1.3.1 本论文的研究意义
        1.3.2 本论文的研究内容
第二章 BaTiO₃薄膜的光电性质及其物相分析
    2.1 BaTiO₃薄膜的制备
    2.2 BaTiO₃薄膜的光电性质及其物相分析
        2.2.1 BaTiO₃薄膜的光电特性
        2.2.2 BaTiO₃样品物相分析
    2.3 本章总结
第三章 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag多层膜阻变特性
    3.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的制备
    3.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的开关特性研究
        3.2.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜电阻开关特性曲线
        3.2.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜电阻开关机理解释
    3.3 本章总结
第四章 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO多层膜阻变特性
    4.1 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO器件制备
    4.2 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO薄膜的电阻开关特性
    4.3 本章总结
第五章 结论
参考文献
硕士期间发表论文情况
致谢



本文编号：4002949