VO 2 /C-TiO 2 纳米管复合阵列的制备及其超电容性能

发布时间：2024-12-07 04:59

　　 在阳极氧化法制备有序TiO₂纳米管阵列（TiO₂ NTAs）的基础上,通过气氛保护退火实现碳改性处理（C-TiO₂NTAs）,并进一步采用水浴沉积工艺可控制备VO₂/C-TiO₂纳米管复合阵列（VO₂/C-TiO₂ NTAs）。采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、场发射扫描电镜（FESEM）和场发射透射电镜（TEM）对VO₂/C-TiO₂ NTAs的物相、成分和形貌进行表征,利用循环伏安（CV）、恒电流充放电（GCD）以及电化学阻抗谱（EIS）测试VO₂/C-TiO₂ NTAs的超电容性能。结果表明:在浓度为0.01 mol/L的VOSO4溶液中90℃沉积3 h,VO₂/C-TiO₂ NTAs的比电容最佳,当电流密度为1 A/g、比电容为316 F/g,且经过1000次恒电流循环充放电后...

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【文章目录】：
1 实验
    1.1 样品制备
        1.1.1 钛片预处理
        1.1.2 C-Ti O2NTAs制备
        1.1.3 VO2/C-Ti O2NTAs的制备
    1.2 样品表征
    1.3 电化学性能测试
2 结果与讨论
    2.1 FESEM分析
    2.2 TEM分析
    2.3 XRD分析
    2.4 Raman分析
    2.5 XPS分析
    2.6 比表面积分析
    2.7 CV分析
    2.8 GCD分析
    2.9 EIS分析
    2.1 0 循环稳定性分析
3 结论



本文编号：4014840