锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征

发布时间：2017-06-12 12:07

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【摘要】：采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的GaN纳米线。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和拉曼光谱(Raman)对锌掺杂GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明:锌掺杂后GaN纳米线的XRD图谱向低角度方向移动,衍射峰更加明显。锌掺杂Ga N纳米线存在一层包覆结构,纳米线的直径范围约为300~500 nm,包覆层的厚度在150~200 nm。锌掺杂GaN纳米线的Raman光谱在E2(high)和A1(LO)出现了微小的红移。最后对包覆结构的可能形成机理进行了探讨。
【作者单位】： 沈阳理工大学理学院;
【关键词】： 化学气相沉积 GaN纳米线 包覆结构 锌掺杂
【基金】：国家自然科学基金项目(11004138) 辽宁省优秀人才支持计划项目(LJQ2011020) 沈阳市科技局应用基础专项(F16-205-1-16)
【分类号】：TN304.2;TB383.1
【正文快照】： 作为重要的第3代半导体材料,Ga N(3.4 e V)具有禁带宽度大、击穿场强大、介电常数小、电子漂移饱和速度高、衬底的绝缘性能和导热性能良好等优点,已成为目前世界上最先进的半导体材料之一[1-3]。其一维半导体纳米结构在微电子和光电子器件等领域具有广泛的应用前景[4-6]。随着

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