太赫兹波超材料吸波体的特性分析

发布时间：2017-06-26 15:09

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【摘要】：超材料吸波体通常是由一些在介质基底表面上周期分布的亚波长开口环谐振器(SRRs)组成,它们的吸收率在很大程度上取决于顶层SRRs的结构细节及介质的材料性质。利用时域有限积分法(FITD)对太赫兹波的超材料吸波体进行传输特性研究,分析了PI介质厚度、单元尺寸、开口环谐振器宽度、顶层silicon的电导率和PI介质的介电常数对太赫兹波超材料吸波体吸收峰位置和吸收率大小的影响。此超材料吸波体的特性研究对太赫兹波调制器、滤波器、吸收器及偏振器等器件设计和制备具有一定的指导意义。
【作者单位】： 郑州大学信息工程学院河南省激光与光电信息技术重点实验室;
【关键词】： 超材料吸波体 吸收特性 太赫兹波 开口环谐振器
【基金】：河南省基础与前沿研究计划项目(152300410023)
【分类号】：TB34;O441
【正文快照】： 0引言太赫兹(0.1~10 THz)波介于微波与红外之间,处于电子学与光子学的过渡区域[1],在生物医学、探测成像、无损检测等领域具有重要的应用[2-4]。在太赫兹领域,限制太赫兹技术广泛应用的瓶颈之一就是缺乏各种高灵敏度的探测器,尤其缺乏对整个太赫兹频段内具有宽带响应的高灵敏

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本文编号：486576