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溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用

发布时间:2017-07-14 05:16

  本文关键词:溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用


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【摘要】:采用射频磁控溅射方法分别在石英玻璃和TCO玻璃上制备了不同厚度的CdS薄膜,研究了CdS薄膜厚度对薄膜结构和光学性质的影响。在不同厚度的CdS/TCO衬底上,进一步制备成CdTe薄膜太阳电池。结果表明,CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生长与结晶;110nm的薄膜具有禁带宽度为2.41eV的最大值;测试电池性能,得到CdS厚度为110nm的电池具有11.42%的最高转换效率。
【作者单位】: 四川大学材料科学与工程学院;
【关键词】磁控溅射 CdS薄膜 CdS/CdTe电池
【基金】:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00708)
【分类号】:TM914.4;TB383.2
【正文快照】: 0引言由于CdTe电池具有较高的光电转换效率,较低的生产成本及较长的使用寿命,使得其成为目前发展最快、也最具潜力的薄膜太阳电池之一。目前正式报道的CdTe电池的最高转换效率为20.4%[1]。而目前被认为最适合做CdTe电池窗口层材料的CdS也因此受到广泛关注及研究[2]。作为Ⅱ-Ⅵ

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