原子层沉积铜薄膜研究进展

发布时间：2017-07-16 09:02

  本文关键词：原子层沉积铜薄膜研究进展

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【摘要】：微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了利用氢气等离子体辅助原子层沉积铜薄膜工艺的研究现状,概述了应用各类铜前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的性能,总结了各工艺的优缺点。
【作者单位】： 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理与材料研究室;
【关键词】： 铜籽晶层 原子层沉积 低温 等离子体
【基金】：北京市自然科学基金项目(4162024) 北京市属高等学校高层次人才引进与培养计划项目(CIT&TCD201404130) 北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201510015002,KM201510015009) 2015北京市本科生科学研究计划项目资助(201601002)
【分类号】：TB306
【正文快照】： 随着集成电路制作工艺的发展,芯片中器件的封装密度不断增加,多层薄膜互连工艺的制造成为行业内重要的研究领域[1]。然而特征尺寸的减小使得半导体器件的性能一直受到电阻电容延迟(RC延迟)的影响,阻碍了微电子制造业的发展步伐。金属铜是一种重要的导电材料。鉴于其低的电阻率

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本文编号：547882