锡基硫化物纳米材料的制备及性质研究
本文关键词:锡基硫化物纳米材料的制备及性质研究
【摘要】:随着现代科技的快速发展,人们对于半导体纳米材料的研究投入了越来越多的热情。半导体纳米材料具有众多优良的性质,由于其尺寸的优越性,纳米材料具有很多体相材料所不具备的独特的性质。合成纳米材料的方法日益繁多,人们对于纳米材料在尺寸上、形貌上、以及光学性能上的可控制备逐渐成熟,能够成功制备满足人们需求的,高效环保的纳米材料。纳米材料在磁学、光学、医学、传感、军事等方面都有着十分广泛的应用。目前,对于纳米材料在太阳能电池、各种光伏器件领域的应用是许多科研工作者研究的热点,发现并研究具有优秀光电性能的纳米材料是一个重要的研究方向。在众多的半导体纳米材料中,目前比较理想的薄膜光伏材料是I-III-VI族的硫化物。然而,因其中所含的稀有金属,如铟和镓,供给量有限,价格日益上涨,开发储量丰富、价格低廉的可替代的材料迫在眉睫。SnS2作为一种重要的锡基二元硫化物,其组成元素,锡元素和硫元素,在地球上储量丰富,价格低廉,且无毒无害,环境友好,是一种理想的金属化合物。SnS2纳米材料在近些年吸引了许多关注的目光,其可应用范围包括:钠离子电池、锂离子电池电极材料,气敏传感器、发光材料、光催化材料、光电传感器及太阳能电池材料等等。由于锡基硫化物优秀的性质,一系列的二元、三元及多元的锡基硫化物已经被成功制备出,并且被广泛应用于许多的前沿科技领域。那么,进一步研究新型的锡基硫化物,制备性能优异的新型材料,值得深入研究。目前对于SnS2纳米材料的光电性能探究还处于初级阶段,本论文针对这一问题进行了研究。此外,成功制备出两种新型锡基硫化物材料,对发展锡基硫化物的研究具有重要的意义。论文的主要内容总结如下:1.通过两种合成手段,制备出不同尺寸的SnS2纳米材料,以油相合成法制备5 nm的SnS2纳米粒子,以溶剂热合成法制备450-500 nm的SnS2纳米片。分别对两个尺寸的SnS2纳米材料进行光暗电流测试,对比和分析的结果表明:SnS2纳米粒子的光电流为暗态电流的3倍,SnS2纳米片的光电流约为暗态电流的7倍,SnS2纳米片具有更合适的光学带隙和更利于光生电荷传输的片状结构,SnS2纳米片相较于SnS2纳米粒子具有更优异的光响应能力。2.通过溶剂热法,成功制备出新型Zn2SnS4三元化合物。扫描电镜和XRD的研究结果表明:Zn2SnS4具有多层纳米片结构且属于立方晶系反尖晶石型结构。光暗电流测试结果表明,电流值随施加偏压增大而增加,光电流比暗态电流提升了10倍,光暗开关电流的测试表明,在数次循环过程中,材料能够保持对光响应的灵敏度和稳定性。利用该方法,成功制备了Cd2SnS4化合物,XRD的研究表明:制备的Cd2SnS4有类似于Cd2SnO4的晶体结构,其性质和晶体属性有待进一步研究。
【关键词】:纳米材料 锡基硫化物 光电性质 太阳能电池
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TB383.1
【目录】:
- 中文摘要4-6
- Abstract6-11
- 第一章 绪论11-37
- 1.1 量子点的基本介绍11-15
- 1.1.1 量子点的概念11
- 1.1.2 量子尺寸效应11-13
- 1.1.3 表面效应13
- 1.1.4 量子点在太阳能电池方面的应用13-15
- 1.2 锡基二元硫化物纳米材料的研究概况15-23
- 1.2.1 SnS纳米材料的研究现状15-18
- 1.2.2 SnS_2纳米材料的研究现状18-23
- 1.3 锡基三元硫化物纳米材料的研究概况23-26
- 1.3.1 Cu_2SnS_3纳米材料的研究现状23-25
- 1.3.2 ZnSnS_3纳米材料的研究现状25-26
- 1.4 锡基四元硫化物纳米材料的研究概况26-29
- 本文立题思想29-30
- 参考文献30-37
- 第二章 SnS_2纳米材料的制备与性质研究37-53
- 2.1 引言37-38
- 2.2 实验部分38-40
- 2.2.1 药品与试剂38
- 2.2.2 仪器与测试38-39
- 2.2.3 SnS_2纳米粒子的制备39
- 2.2.4 SnS_2纳米片的制备39-40
- 2.3 结果与讨论40-51
- 2.3.1 SnS_2纳米材料的电镜和吸收光谱表征40-45
- 2.3.2 SnS_2纳米材料的XRD表征45-46
- 2.3.3 SnS_2纳米材料的光电性质研究46-51
- 2.4 本章小结51-53
- 第三章 M_2SnS_4(M=Zn,Cd)纳米材料的制备与性质研究53-73
- 3.1 引言53-54
- 3.2 实验部分54-55
- 3.2.1 药品与试剂54
- 3.2.2 仪器与测试54-55
- 3.2.3 Zn_2SnS_4纳米材料的制备55
- 3.2.4 Cd_2SnS_4纳米材料的制备55
- 3.3 结果与讨论55-70
- 3.3.1 Zn_2SnS_4纳米材料的扫描电镜和漫反射光谱表征55-58
- 3.3.2 Zn_2SnS_4纳米材料的XRD结构表征58-62
- 3.3.3 Zn_2SnS_4纳米材料的EDS能谱表征62-63
- 3.3.4 Zn_2SnS_4纳米材料的光电性质研究63-65
- 3.3.5 Cd_2SnS_4纳米材料的SEM,XRD,EDS表征65-70
- 3.4 本章小结70-71
- 参考文献71-73
- 作者简介73-75
- 致谢75
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本文编号:623453
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