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ZnO纳米结构的控制生长及其光电化学性能研究

发布时间:2017-08-30 15:06

  本文关键词:ZnO纳米结构的控制生长及其光电化学性能研究


  更多相关文章: ZnO 半导体 表面活性剂 光电化学性能.


【摘要】:本文采用简单的低温油浴反应法制备了六方柱状短棒、六方柱状长棒和片层状自组装ZnO花状纳米结构.通过对反应温度、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)用量等实验条件的控制,合成了形态可控的ZnO花状纳米结构.用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜对ZnO纳米结构的成分、尺寸和形态进行了表征分析.实验研究表明,表面活性剂PVP的用量和反应温度对ZnO纳米结构的形态产生显著影响,探讨了PVP的作用及ZnO纳米结构的生长机制.光电化学性能研究表明,ZnO纳米结构的形态对其光电化学性能具有显著影响.基于实验和分析,我们对不同形态ZnO花状纳米结构的光电化学性能作了合理的解释.本文所制备的ZnO纳米结构在光解水制氢及环境污染水净化处理等清洁能源和环境治理领域具有潜在的应用前景.
【作者单位】: 中央民族大学生命与环境科学学院;
【关键词】ZnO 半导体 表面活性剂 光电化学性能.
【基金】:国家自然科学基金项目(No.NSFC 11074312)
【分类号】:TQ132.41;TB383.1
【正文快照】: 引言近年来,设计控制制备具有特殊形貌和光电化学性能的纳米结构材料及其在光电器件、光电催化、生物技术等领域的应用已成为物理、材料和化学等领域的研究热点[1].作为一种Ⅱ—Ⅵ宽禁带直接半导体材料,Zn O的禁带宽度为3.37 e V.在室温下,Zn O具有60 me V的高激子束缚能.因此

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本文编号:759982

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