基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

发布时间：2017-09-03 02:16

  本文关键词：基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

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【摘要】：本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。
【作者单位】： 江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心;
【关键词】： SiNx 等离子体化学气相沉积 表面钝化 容性放电
【基金】：国家自然科学基金(61404061) 江苏省自然科学青年基金(BK20140168)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： (Received 18 December 2015,accepted 28 January 2016)1引言采用非晶氢化氮化硅薄膜(简称为a-Si Nx∶H或者Si Nx)作为晶硅表面的钝化层和光学减反层已经成为当今工业晶硅太阳能电池生产线中的一门标准工艺[1,2]。氮化硅的折射率一般是2,使其作为减反层能显著降低入射太阳光

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本文编号：782276