NiO纳米线阵列紫外光电特性

发布时间：2017-09-07 09:29

  本文关键词：NiO纳米线阵列紫外光电特性

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【摘要】：通过电化学沉积及退火处理制得NiO纳米线,并制备出了NiO纳米线阵列紫外光电导探测器。扫描电子显微镜测试发现制备出的纳米线非常均匀,长度约为50μm。X射线衍射测试表明氧化退火后形成的NiO是多晶立方相结构;同时,Ni纳米线并没有被完全氧化,而是形成了一个NiO/Ni壳层结构。在外加1 V偏压下,暗电流为0.92μA,光电流为19.1μA,光电流约是暗电流的20倍;在0.3 mA偏流下,探测器的暗电压约为紫外光照下光电压的2.5倍,响应时间为1.6 s,延迟时间为6 s。探测器光暗电压差在0~1.1 W/cm2光照强度范围内是线性变化的,响应度为6.4 V/W。同时,探讨了NiO/Ni壳层纳米线阵列的光电效应工作机理。
【作者单位】： 中国石油大学(北京)油气光学探测技术北京市重点实验室;中国石油大学(北京)光传感与光探测实验室;
【关键词】： 紫外光探测器 NiO/Ni壳层纳米线 纳米线阵列 紫外光电效应 响应度
【基金】：北京市自然基金资助项目(4142047) 北京市青年英才计划资助项目(YETP0684) 中国石油大学(北京)优秀青年教师研究项目(ZX20150108)
【分类号】：TB383.1;TN23
【正文快照】： 0引言NiO是一种禁带宽度Eg较大的半导体材料(室温下Eg=3.74 eV),在可见光和红外范围内没有响应,具有成本低廉、效率高以及易于制造等优点。近几年,NiO基材料和器件的研究备受关注[1-5]。特别是光电器件,B.O.Jung等人[6]制备出了NiO薄膜/ZnO纳米线发光二极管,在450~650 nm的可

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6 张轶群;施毅;濮林;张荣;郑有p，

本文编号：808752