薄膜砷化镓太阳能电池晶圆片金-金键合热应力影响因素分析

发布时间：2017-12-06 03:25

  本文关键词：薄膜砷化镓太阳能电池晶圆片金-金键合热应力影响因素分析

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【摘要】：针对砷化镓太阳能电池键合过程中键合界面位错密度过大、部分区域解键合等问题,通过金-金热压键合技术结合有限元方法,提出了一系列降低结构热应力的有效途径。以砷化镓薄膜电池Ga As/Au/PI晶圆片为研究对象,建立三维电池模型,观察和分析了在热和压力同时作用下键合界面的热应力分布及结构变形情况,并探究了金层厚度与热压曲线对结构热应力的影响。分析结果表明,所提出的改进方法使结构热应力大大减少,提高了电池的键合率。
【作者单位】： 西安电子科技大学电子装备结构设计教育部重点实验室;上海空间电源研究所空间电源技术国家重点实验室;
【基金】：上海市青年科技启明星计划(14QB1402800)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： Analysis of Impact Factors on Au-Au Bonding Thermal Stresses for theGa As Thin Film Solar CellsWANG Dian1,QIU Xun2,QIU Yuan-ying1,GUO Xiang-hu1,SUN Li-jie2(1.Key Laboratory of Electronic Equipment Structure Design of Ministry of Education,Xidian Universi，

本文编号：1257207