基于忆阻器的功能性电路研究

发布时间：2017-12-21 04:35

  本文关键词：基于忆阻器的功能性电路研究　出处：《南京邮电大学》2016年硕士论文　论文类型：学位论文

  更多相关文章： 忆阻器 荷控 磁控 蔡氏电路 振荡电路

【摘要】：忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四个基本电路元件,用于描述磁通量和电荷之间的关系。忆阻器具有电阻、电容和电感三个基本电路元件所不具有的特性,是一类有记忆特性的非线性电路元件,可以记忆流经它的电荷量。通过改变经过忆阻器的电流可以改变忆阻器的阻值,而且在断电后可以保持其阻值不变。这种记忆特性使得忆阻器比其它一般的电路元件具有更广阔的研究与应用空间。本论文对忆阻器的基本特性、忆阻器与电容、电感串并联电路以及忆阻器在混沌电路、振荡电路中的应用进行了研究。主要包括以下内容:以三次非线性和分段线性数学模型分别对荷控和磁控忆阻器的基本特性进行了相关分析,研究表明忆阻器的v-i关系能呈现出紧磁滞回线,且特性曲线会随着器件参数、外加激励频率的变化而变化;此外,外加激励频率可影响忆阻值的变化范围。在忆阻器与电容、电感串并联电路方面,研究了荷控忆阻器与LC串联电路和磁控忆阻器与LC并联电路的相关特性,结果表明通过改变电容、电感的值可以使电路的v-i关系呈现不同的特性。基于忆阻器的功能性电路研究,主要是将忆阻器应用在蔡氏电路和文氏桥振荡电路中研究其对电路相关特性的影响。通过改变蔡氏忆阻混沌电路中元件的参数值,φ-v关系可呈现稳定焦点、单涡旋混沌和双涡旋混沌等不同特性。在不同频率下忆阻器对振荡电路的影响有所不同,忆阻振荡器输出波形会发生相应的变化。
【学位授予单位】：南京邮电大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TM501

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本文编号：1314732