1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池

发布时间：2018-01-14 17:43

  本文关键词：1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池　出处：《科学通报》2017年26期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子点以调整太阳能电池带隙.X射线衍射谱中观察到了量子阱的多级卫星衍射峰,量子阱界面陡峭.扫描透射图显示量子点呈金字塔状,量子点的高度约为12 nm,底边长约为27 nm.由原子力显微镜图可知,量子点密度约为2×10~(10) cm~(-2).低温光致发光谱显示量子点在As4束流下呈双模分布.光电流响应谱显示InAsdots-in-well量子点太阳能电池吸收波长可以达到1300 nm,相应于带隙约为1.0 eV.器件J-V特性显示短路电流相比于GaA s标准p-i-n电池增加了37.8%.这表明该InAsdots-in-well量子点太阳能电池有望改善多结太阳能电池的设计中的电流阻塞效应,实现电流匹配,在多结太阳能电池的设计中具有广阔的应用前景.
[Abstract]:The results show that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) . It shows that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) . The light current response spectrum shows that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) .

【作者单位】： 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金(11574362,61210014,11374340,11474205) 北京市科技计划(Z151100003515001)资助
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 近年来,Ga As基单节太阳能电池和多节太阳能吸收增大电池效率[10].常用的带隙为1.0 e V的材料有电池广泛应用于空间电池技术和制造聚光太阳能电晶格匹配的Ga In NAs和晶格失配的In[0.3Ga0.7As11,12].池[1~5].最常用的三结太阳能电池多采用Ge作为底电Ga In NAs少子寿命短,载流

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本文编号：1424647