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基于高压碳化硅器件的三相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制

发布时间:2018-03-01 13:32

  本文关键词: 三相固态变压器 拓扑 高压碳化硅器件 控制策略 出处:《电工技术学报》2017年S2期  论文类型:期刊论文


【摘要】:作为智能电网应用中的关键设备,固态变压器(SST)在未来电力系统中占有重要地位。为解决三相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题,采用简单的基于高压碳化硅(Si C)器件的三相固态变压器拓扑,其中整流级采用简单的三相电压型PWM整流器的常规拓扑,因而具有很强的现实意义。建立三相Si C-SST拓扑的数学模型,并对电网电压平衡下的控制策略进行分析,同时在电网电压不平衡时,采用抑制SST交流输入侧负序电流的控制策略。通过PSIM仿真证明了两种控制策略的可行性与正确性。最后基于Si C器件搭建了实验平台,对SST的前端整流级进行了实验验证。
[Abstract]:As the key equipment in the application of smart grid, solid-state transformer (SST) plays an important role in the future power system. In order to solve the complex topology and difficult control of three-phase modular cascaded solid-state transformer, it is necessary to solve the problems such as the average power between modules. A simple three-phase solid-state transformer topology based on high-voltage silicon carbide silicon carbide (HSC) device is adopted, in which the rectifier stage adopts the conventional topology of simple three-phase voltage source PWM rectifier. The mathematical model of three-phase Si C-SST topology is established, and the control strategy under voltage balance is analyzed. The feasibility and correctness of the two control strategies are proved by PSIM simulation. Finally, an experimental platform is built based on sic devices to verify the front-end rectifier level of SST.
【作者单位】: 山东大学电气工程学院;
【基金】:国家自然科学基金(51277115,51541708) 山东省自然基金(ZR2011EEM026)资助项目
【分类号】:TM41

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本文编号:1552178

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