二元钒硼化物的反应合成及其放电性能

发布时间：2018-04-21 00:07

  本文选题：反应合成 + 钒硼化物　； 参考：《无机材料学报》2017年04期

【摘要】：以单质元素粉末为原料,采用1500℃高温反应合成不同成分的钒硼化物粉末,并以制备粉末为活性物质,Ni为导电剂,NH_4HCO_3为造孔剂,采用粉末冶金工艺制备了多孔V-xB/Ni型(x=2/3~2)负极电极片,探讨不同物相钒硼化物作为空气电池电极活性物质的高容量输出性能。结果表明,当原料粉末中V:B原子比为1:1、1:2时,可分别制得具有单一物相的VB和VB_2化合物粉末,当V:B=3:2时,合成产物包含V3B2和少量VB相,当V:B=2:3时,合成产物为V_2B_3、V_3B_4和少量VB_2三相混合。制备的V-xB/Ni型电极的孔隙率为60.25~61.75%,放电容量为6129~7901 mAh,比容量为2724~3511 mAh/g。V-xB/Ni型电极的放电性能随着B含量的增加明显提升,所制备V-2B/Ni型电极的放电性能最优,其比容量为3512 mAh/g,库伦效率为86.5%,能量密度达到2504 Wh/kg。
[Abstract]:The vanadium boride powder with different composition was synthesized by high temperature reaction at 1500 鈩，

本文编号：1780039