陷光结构在GaAs薄膜太阳电池中的应用

发布时间：2018-04-29 07:53

  本文选题：GaAs薄膜太阳电池 + 正面陷光结构　； 参考：《材料导报》2017年11期

【摘要】：陷光结构由于其独特的光学特性,在光伏器件中发挥的作用越来越重要。目前硅基太阳电池中陷光结构的应用很常见,然而在GaAs薄膜太阳电池中陷光结构的报道并不多。详细介绍了陷光结构的原理及其在GaAs薄膜电池中的研究现状和应用情况。综述了GaAs薄膜太阳能电池中常用的三类陷光结构:正面陷光结构(包括纳米颗粒、纳米线、纳米锥等)、背面陷光结构(如镜面背反射层)以及混合陷光结构。大量研究表明,陷光结构的使用可以进一步提高GaAs薄膜电池的光电转换效率,一定程度上达到降低电池生产成本的目的。
[Abstract]:Because of its unique optical properties, trapping structure plays a more and more important role in photovoltaic devices. At present, the application of trapped light structure in silicon based solar cells is very common. However, there are few reports on trapped light structure in GaAs thin film solar cells. The principle of trapping structure and its application in GaAs thin film battery are introduced in detail. Three types of trapping structures commonly used in GaAs thin film solar cells are reviewed in this paper: frontal trapping structures (including nanocrystalline particles nanowires nanometers etc.) backside trapping structures (such as mirror backreflectors) and mixed trapping structures. A large number of studies have shown that the use of trapping structure can further improve the photoelectric conversion efficiency of GaAs thin film cells and to a certain extent achieve the purpose of reducing the production cost of the cells.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心;中国科学院大学微电子学院;
【基金】：国家自然科学基金(61274066;61474115;61504138) 863项目(2014AA032602)
【分类号】：TM914.42

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本文编号：1819070