n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响

发布时间：2018-06-18 22:12

  本文选题：n型单晶硅 + PCD模拟　； 参考：《太阳能学报》2017年11期

【摘要】：采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最佳少子寿命值。
[Abstract]:PC1D simulation software was used to simulate the effects of resistivity, diffusion square resistance and junction depth on the performance of n-PERC battery under different minority carrier lifetime. The results show that the battery efficiency increases with the prolongation of minority carrier lifetime of silicon wafer. The optimum minority carrier lifetime of n-PERC battery using silicon wafer was obtained by studying the minority carrier life and the radial inhomogeneity of silicon wafer in practical production.
【作者单位】： 河北工业大学信息功能材料研究所;
【分类号】：TM914.4

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本文编号：2037034