一种新型便携式弱磁场测量系统
【图文】:
第10期李良辉等:一种新型便携式弱磁场测量系统75图1输出特性表1霍尔元件、AMR元件、GMR元件以及TMR元件的技术参数对比技术尺寸/mm灵敏度/(mV·V-1·Gs-1)测量范围/Gs分辨率/mGs温度特性/℃Hall1×10.051~1000500<150AMR1×110.001~100.1<150GMR2×230.1~302<150TMR0.5×0.5200.001~2000.1<200包含4个非屏蔽、高灵敏度MTJ传感器元件。内部结构如图2所示。图2TMR9001内部结构TMR磁传感器内部是一个典型的MTJ推挽式惠斯登电桥结构,能够有效地补偿传感器的温度漂移,其内部包含4个高灵敏度TMR敏感电阻,输出信号的峰-峰值可达工作电压的80%,从而降低了许多应用中外部信号放大处理电路的复杂度,在部分应用中甚至不需要进行放大,,减小了传感器体积,降低了整体成本。传感器每个桥臂上的磁阻电阻大约100kΩ[4],且两两对齐,形成一个共同的敏感轴,随着外界磁场在磁敏感方向上不断增强,输出电压也就正向增长,通过施加供电电源,传感器可以将测量轴向上的任何入射磁场转变成一种差分电压输出,再通过内部放大器获得输出电压[6]。2弱磁测量系统设计2.1硬件设计弱磁测量系统主要由磁场测量设备和上位机数据接收存储处理端构成,整体系统结构如图3所示。主要包括磁场探测端、数据放大转换电路、数字滤波、弱磁数据的处理控制器、无线数据传输模块、液晶显示模块、SD卡存储。图3硬件系统框图主控芯片选择高性能的ARM屮CortexTM-M332位的RISC内核STM32F103C8T6芯片,工作频率为72MHz,内置高速存储器(128K字节闪存和20字节的SRAM),具有丰富的外设资源,可采用I2C总线进行数据的读写,通过液晶屏实时显示测量数据且存储到SD卡中,并
第10期李良辉等:一种新型便携式弱磁场测量系统75图1输出特性表1霍尔元件、AMR元件、GMR元件以及TMR元件的技术参数对比技术尺寸/mm灵敏度/(mV·V-1·Gs-1)测量范围/Gs分辨率/mGs温度特性/℃Hall1×10.051~1000500<150AMR1×110.001~100.1<150GMR2×230.1~302<150TMR0.5×0.5200.001~2000.1<200包含4个非屏蔽、高灵敏度MTJ传感器元件。内部结构如图2所示。图2TMR9001内部结构TMR磁传感器内部是一个典型的MTJ推挽式惠斯登电桥结构,能够有效地补偿传感器的温度漂移,其内部包含4个高灵敏度TMR敏感电阻,输出信号的峰-峰值可达工作电压的80%,从而降低了许多应用中外部信号放大处理电路的复杂度,在部分应用中甚至不需要进行放大,减小了传感器体积,降低了整体成本。传感器每个桥臂上的磁阻电阻大约100kΩ[4],且两两对齐,形成一个共同的敏感轴,随着外界磁场在磁敏感方向上不断增强,输出电压也就正向增长,通过施加供电电源,传感器可以将测量轴向上的任何入射磁场转变成一种差分电压输出,再通过内部放大器获得输出电压[6]。2弱磁测量系统设计2.1硬件设计弱磁测量系统主要由磁场测量设备和上位机数据接收存储处理端构成,整体系统结构如图3所示。主要包括磁场探测端、数据放大转换电路、数字滤波、弱磁数据的处理控制器、无线数据传输模块、液晶显示模块、SD卡存储。图3硬件系统框图主控芯片选择高性能的ARM屮CortexTM-M332位的RISC内核STM32F103C8T6芯片,工作频率为72MHz,内置高速存储器(128K字节闪存和20字节的SRAM),具有丰富的外设资源,可采用I2C总线进行数据的读写,通过液晶屏实时显示测量数据且存储到SD卡中,并
【作者单位】: 太原理工大学物理与光电工程学院;
【基金】:山西省国际科技合作项目(201481029-2)
【分类号】:TM936
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本文编号:2542777
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