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锂离子电池Si@void@C复合材料的制备及其电化学性能

发布时间:2019-11-12 22:35
【摘要】:以纳米Si颗粒为核心,正硅酸四乙酯(TEOS)为SiO_2源,采用Stober法在Si表面包覆一层SiO_2,再以多巴胺为碳源,通过碳化处理将SiO_2表面的聚多巴胺层转化成碳层。最后,用HF刻蚀SiO_2并留下空隙,得到Si@void@C复合纳米颗粒。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和恒流充放电测试对材料的物相、微观形貌和电化学性能进行表征。结果表明,在0.1 A·g~(-1)电流密度下,Si@void@C负极材料充放电循环100次后充电比容量仍然有1 319.5 mAh·g~(-1),容量保持率为78.4%,表现出优异的电化学性能。
【图文】:

SEM图,纳米Si,特征峰,无定形


即鐚?得到的纳米Si材料的XRD图只出现的特征峰(2θ=28.443°、47.304°、56.124°、69.132°和76.378°)对应于立方相纳米硅(PDFNo.27-1402),没有出现明显的SiO2特征峰,说明Si为纯硅相。未去除SiO2的Si@SiO2@C材料的XRD图中相应的出现无定形SiO2特征峰。HF刻蚀SiO2之后,得到Si@void@C材料的XRD图,图中未出现明显的无定形SiO2特征峰,说明SiO2基本去除干净,同时C的特征峰没有出现,说明包覆的碳为无定形热解碳。Si的特征峰未发生明显变化,说明包覆过程未对Si的晶体结构产生破坏。图2a是纳米纯Si粉的SEM图,纳米纯Si粉的直径为30~120nm。图2b是为Si@SiO2材料的TEM图,由图可知,SiO2均匀地包覆在硅表面,包覆厚度在5~25nm之间。图2c和2d分别为Si@SiO2@C材料的TEM和HR-TEM图,从图中可以看到明显的Si@SiO2@C层状结构,,碳层的厚度约为10nm。图3所示的是Si@void@C复合材料的TEM图。从图中可以明显看到,不同尺寸的纳米硅颗粒被外部的碳层均匀包裹着,硅核与碳壳之间的空隙图2(a)纯纳米Si粉的SEM图;(b)Si@SiO2材料的TEM图;(c)Si@SiO2@C材料的TEM图;(d)Si@SiO2@C材料的HR-TEM图Fig.2(a)SEMimageofthepureSinanopowder;(b)TEMimageoftheSi@SiO2composites;(c)TEMimageoftheSi@SiO2@Ccomposites;(d)HR-TEMimageoftheSi@SiO2@Ccomposites图1Si、SiO2、Si@SiO2@C和Si@void@C的XRD图Fig.1X-raydiffractionpatternsoftheSi,SiO2,Si@SiO2@CandSi@void@Ccomposites1765

锂离子电池Si@void@C复合材料的制备及其电化学性能


Si@void@C的TEM图

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本文编号:2559973

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