锂离子电池Si@void@C复合材料的制备及其电化学性能
【图文】:
即鐚?得到的纳米Si材料的XRD图只出现的特征峰(2θ=28.443°、47.304°、56.124°、69.132°和76.378°)对应于立方相纳米硅(PDFNo.27-1402),没有出现明显的SiO2特征峰,说明Si为纯硅相。未去除SiO2的Si@SiO2@C材料的XRD图中相应的出现无定形SiO2特征峰。HF刻蚀SiO2之后,得到Si@void@C材料的XRD图,图中未出现明显的无定形SiO2特征峰,说明SiO2基本去除干净,同时C的特征峰没有出现,说明包覆的碳为无定形热解碳。Si的特征峰未发生明显变化,说明包覆过程未对Si的晶体结构产生破坏。图2a是纳米纯Si粉的SEM图,纳米纯Si粉的直径为30~120nm。图2b是为Si@SiO2材料的TEM图,由图可知,SiO2均匀地包覆在硅表面,包覆厚度在5~25nm之间。图2c和2d分别为Si@SiO2@C材料的TEM和HR-TEM图,从图中可以看到明显的Si@SiO2@C层状结构,,碳层的厚度约为10nm。图3所示的是Si@void@C复合材料的TEM图。从图中可以明显看到,不同尺寸的纳米硅颗粒被外部的碳层均匀包裹着,硅核与碳壳之间的空隙图2(a)纯纳米Si粉的SEM图;(b)Si@SiO2材料的TEM图;(c)Si@SiO2@C材料的TEM图;(d)Si@SiO2@C材料的HR-TEM图Fig.2(a)SEMimageofthepureSinanopowder;(b)TEMimageoftheSi@SiO2composites;(c)TEMimageoftheSi@SiO2@Ccomposites;(d)HR-TEMimageoftheSi@SiO2@Ccomposites图1Si、SiO2、Si@SiO2@C和Si@void@C的XRD图Fig.1X-raydiffractionpatternsoftheSi,SiO2,Si@SiO2@CandSi@void@Ccomposites1765
Si@void@C的TEM图
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