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噻并苯基宽带隙聚合物的合成及光伏性能的研究

发布时间:2020-03-19 10:46
【摘要】:在近几年中,有机聚合物太阳能电池(PSC)取得了快速发展,最先进的PSC的能量转换效率(PCE)已超过14%。为了设计高光伏性能的聚合物材料,其化学结构必须与工艺参数同步。因此,本论文从聚合物刚性主链和柔性侧链的角度出发,考虑到聚合物给体要与受体满足能级匹配、吸收光谱互补、共混膜具有良好的聚集和形貌等要求。选择了具有良好给电子能力和较大共轭面的苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩(BDT)作为给电子单元,与5,6-二氟苯并[d][1,2,3]三氮唑(FBTA)以及新合成的二噻吩并[2,3-d:2',3'-d']苯并[1,2-b:3,4-b':5,6-d']三噻吩(DTBTT)等缺电子单元共聚,合成了一系列宽带隙(WBG)共轭聚合物,有望通过精细的侧链调节工程以及扩展聚合物给体骨架的π-共轭体系来提高光伏性能。在第二章和第三章,分别将2-烷硫基-3-烷基噻吩基或双烷硫基噻吩基引入到BDT的主链上作为第一组份,缺电子单元FBTA作为第二组分,烷基噻吩基取代的BDT作为第三组分,通过调控这两个体系中3种单体的比例,合成了2-烷硫基-3-烷基侧链取代的聚合物PBDT-AST45、PBDT-AST55、PBDT-AST65、PBDT-AST;双烷硫基侧链取代的聚合物PBDT-DST45、PBDT-DST55、PBDT-DST65、PBDT-DST,为了对比研究,同时合成了不含烷硫基侧链的聚合物PBDT-T。综合比较证明,烷硫基的引入可以有效降低最高占据分子轨道能级(E_(HOMO)),从而提升开路电压(Voc),其中基于PBDT-AST65/ITIC和PBDT-DST55/ITIC的器件实现了最高的Voc(0.98 V),相较于PBDT-T/ITIC基器件,Voc提升了6%(0.92~0.98V)。同时,发现烷硫基的引入可以有效增强聚合物骨架的π-π堆积性能,进而在聚合物骨架和侧链间形成了更有序的结构,大大改善了电荷传输性能。最终结果显示,基于PBDT-AST65/ITIC的器件获得了了最佳的光伏性能,其能量转换效率(PCE)为5.76%,V_(OC)为0.98 V,短路电流密度(J_(SC))为12.38 mA cm~(-2),填充因子(FF)为47.80%。相较于不含硫原子的PBDT-T,其PCE提高了14%(4.98%~5.76%)。可见,聚合物中引入烷硫基对提高WBG给体材料的PCE有很大帮助。在第四章,通过扩展苯并[1,2-b:3,4-b':5,6-d']三噻吩(BTT)单元的π-共轭体系,合成了DTBTT单元,为了研究延伸共轭体系的影响,利用烷基噻吩基取代的苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩双锡(BDT-TSn)与酰基取代的二溴化物DTBTTBr_2及BTTBr_2偶联制备合成了两个BDT基WBG共轭聚合物PBDT-DTBTT和PBDT-BTT。比较结果表明,DTBTT单元中共轭长度的延伸和共轭面的扩大赋予聚合物更宽更强的吸收,更有序,平面性更好的分子构型,进而使载流子迁移率显著提高。PBDT-DTBTT/PC_(71)BM基器件的最佳PCE为2.73%,(V_(OC)=0.82 V,J_(SC)=6.29 mA cm~(-2),FF=52.45%),而对应PBDT-BTT/PC_(71)BM的器件在相同实验条件下的PCE为1.98%。说明共轭体系从BTT延伸至DTBTT后,PCE增加38%(1.98%~2.73%),这主要得益于吸收的改善和空穴迁移率的提高。由此证明扩展给体聚合物骨架的π-共轭体系是调整光学电子性质并且提高WBG给体材料器件性能的有效策略。
【图文】:

有机太阳能电池,工作原理


图 1.1 有机太阳能电池工作原理[11]有机太阳能电池利用光伏效应实现光电转变。如图 1.1 所示,其产生光伏效应的程如下:(1)当能量大于 HOMO-LUMO 能隙的光子照射光敏活性层时,电子受到激发,从高能量成键轨道(HOMO)跃迁到低能量反键轨道(LUMO),形成电子-空穴对(激子)。(2)激子经过扩散到达给体和受体异质结界面,通常,激子的扩散长度(LD)受激子秒量级以下寿命的影响,一般为 10-20 nm 左右[12]。(3)扩散到界面处的激子通过内建电场作用,,克服激子中电子-空穴对间的束缚力电子由给体 LUMO 转移到受体 LUMO 上,空穴仍留在给体的 HOMO 上,形成电荷移。(4)电子和空穴对克服库仑力,解离为自由移动的载流子,正负载流子分别在给体受体材料中经过运输到达阳极和阴极,最后被电极收集形成光电流。1.1.2 聚合物太阳能电池结构在有机太阳能电池的发展历程中,器件结构扮演了重要角色,从最初的单层器件

结构图,有机太阳能电池,结构图


图 1.2 有机太阳能电池结构图[13]件结构图 1.2(a)所示为传统的正置器件结构,其结构自太阳光入射方向依次为TO)透明阳级;空穴传输层,一般为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙T/PSS),用于降低 ITO 的功函数;光敏活性层,用于吸收光子,解离激子;阴极界面修饰层,可调节活性层与阴极间的界面接触,从而提升电输性能;金属阴极材料,一般采用 Al、Ag 等高功函金属[13]。件结构图 1.2 (b)所示为倒置器件结构,近年来,研究人员通过采用倒置结构层进行处理提高了器件的稳定性、使用寿命以及能量转换效率[14]。其ITO 透明阴极;电子传输层(一般为 ZnO,Cs2CO 或 TiO2);空穴传输层 或 MoO3);金属阳极(Au 或 Ag)。件结构1.2(c)所示为叠层器件结构,此结构由不同带隙的子电池堆积而成,因
【学位授予单位】:兰州交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM914.4;TQ317

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