大功率半导体激光器电源单体的分析与设计
【图文】:
1-2ASM232C040 半导体激光器实SM232C040 半导体激光器的主要测试条件 最小值 典型50A(25℃) 40 -40W(25℃) - 525℃ - 125℃ - 0.025℃,,40W - 1.32C040 半导体激光器的主要特 50A,2 个 LD 并联的通流能 1.8V,30 个 LD 串联的工作电 2mΩ,2 个 LD 并联的等效电 100A 时,串联电阻两端电压V,还得再串联一个阻值为 Ro激光器等效负载电路模型如图
图 1-5 半导体激光器的工作特性曲线的存储条件和工作环境中,半导体激光器的使用寿命很长。易损坏[19-20]。对半导体激光器电源的要求如下[10,21-23]:源,半导体激光器电源必须输出恒定电流且要求电流纹波系控制,工作温度过高会导致半导体激光器输出光功率下降,用寿命。因此,半导体激光器电源必须有温度控制装置,以稳定温度下。过压保护,半导体激光器电源必须有保护装置,以防止过流损坏。浪涌,据统计,浪涌击穿造成半导体激光器失效的几率超过时电脉冲可以击穿半导体激光器的 PN 结并损坏其谐振腔面大功率半导体激光器电源系统研究现状
【学位授予单位】:华中科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM46
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本文编号:2622548
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