一种串联磁路混合永磁记忆电机性能分析与结构优化
【图文】:
了真正意义上的磁通可调。国内外研究现状许多学者致力于记忆电机的研究,提出取得了巨大的进步。型记忆电机在提出记忆电机的概念后,研究制造了图 1.1 所示。该记忆电机的定子结构采“三明治”结构,,材料由内向外依次是 AAlNiCo 具有较高的剩磁密度但是矫顽可以使它退磁,记忆永磁电机利用这一[17]。另外,韩国 Hanbat 大学的 Jung Ho 磁滞曲线的非线性,建立了 Preisach 模线,使得电机的气隙磁通控制更加精确
a)6 极转子结构 b)8 极转子结构图 1.2 两种永磁体切向式磁化记忆电机转子结构美国威斯康星——麦迪逊大学教授 Natee Limsuwan 联合日本学者 Takato 对内置式永磁同步电机进行了深入研究,在交轴磁路上增加 AlNiCo 永磁变交轴电感,提出了一种交轴磁阻增强型记忆电机,利用有限元仿真软件分及实验的验证,表明了该电机具有较宽的调速范围和高的运行效率[21]。两种磁阻增强型记忆电机拓扑结构如图 1.3 所示。a)AlNiCo 径向磁化 b)AlNiCo 轴向磁化图 1.3 两种磁化方向磁阻增强型记忆电机结构
【学位授予单位】:兰州理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM341
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本文编号:2685330
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