当前位置:主页 > 科技论文 > 电气论文 >

光—MOS固体继电器金丝键合工艺开发与过程控制

发布时间:2020-08-18 14:05
【摘要】:为实现国家主席习近平提出的强军梦,国家对国防军用武器装备研究经费逐年加大投入,以加快武器装备集成化、信息化、数字化、智能化发展。军用武器装备由不同功能模块系统组成,功能模块一般都由不同型号规格的器件和各种零部件装配而成。在某些军事应用领域,光-MOS固体继电器是功能模块中输入输出信号相互切换最基础和关键的微电子器件。公司研发的光-MOS固体继电器系列产品是为满足某型号军用武器装备提出配套器件小型化、轻量化的要求。光-MOS固体继电器产品是经过微组装工艺技术制造出来,主要包括点胶粘片工艺、金丝键合工艺、平行封焊工艺,其中金丝键合是光-MOS固体继电器产品微组装制造工艺中的关键工艺技术。本课题在查阅大量微组装相关技术资料情况下,从公司实际需求出发,对光-MOS固体继电器产品生产中急需的金丝键合工艺技术进行开发。根据公司现有的工艺基础和设备资源,金丝键合工艺开发主要包括如下内容:1)根据产品的结构特点和裸芯片焊盘尺寸大小选择合适的劈刀型号规。2)根据产品功能特性选择合适的键合金丝型号规格。3)以镀金陶瓷基板作为键合载体结合设备说明资料摸透键合设备的运行原理和设备每一个动作及参数所控制的具体内容。4)根据裸芯片键合焊盘尺寸大小及GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》中的相关要求进行打火烧球工艺参数的试验验证。用奥林巴斯SMT-7显微镜对烧球后的金球外径尺寸进行测试,对所得的测试数据进行统计分析,根据分析结果确认打火烧球的工艺参数(烧球电流、烧球时间)。5)以镀金陶瓷基板作为键合载体,通过键合外观形貌和键合强度拉力曲线分布图确定键合工艺参数范围,键合工艺参数包括键合压力、键合功率、键合时间、键合温度。6)以镀金陶瓷基板作为键合载体,通过环境应力试验优化出工艺参数匹配范围。7)在优化后工艺参数匹配范围的基础上,以芯片键合为载体,通过键合强度拉力曲线分布图和环境应力试验确定芯片键合工艺参数匹配范围。8)以芯片键合为载体,通过Minitab软件中的田口试验方法确定最佳芯片键合工艺参数组合。9)最优芯片键合工艺参数组合产品批次生产验证。将工艺试验验证后的键合工艺参数组合应用于产品的批量生产中,对产品验证批装配质量情况统计分析,总结金丝键合工艺生产经验,得出金丝键合工艺的过程控制要求内容。
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM58
【图文】:

引线键合,键合


子器件试验方法和程序》中方法 1010.1 温度方法 2011.1 键合强度(破坏性键合拉力试验组合进行键合质量评估。利用田口试验方法合工艺参数开发过程积累的方法、经验、数现状外学者对键合机理进行大量试验和研究,在年贝尔试验室研究出了世界第一台引线键合装年代国外研究人员才真正提出相关的引线键合”的理论。研究者认为金丝键合球和被焊材而实现相互扩散,形成的连接[1]。之后的研键合过程中发生侧向的塑性变形,将被键合净的键合表面经过键合力挤压之后与金丝完

陶瓷基板,基座,产品,键合


第二章键合因素分析与键合工艺方式选择二章 键合因素分析与键合工艺方式选择事、导航、微波通信、雷达等高可靠性领域对多功能系统求的背景下,做为航天武器型号配套单位,我厂研发的光选元器件全部为裸芯片,某型号产品基座组腔体内芯片及示。通过环氧粘接工艺/键合工艺/平行封焊工艺等微组装25μm、φ50μm 金丝键合是产品装配中的关键工艺。而金丝做为基础和键合设备做为载体,因此本章对其进行概述,合过程步骤。

楔焊,球焊,劈刀,组合机构


扩散越大,在接触面出现均匀的合金增加界面键合强度。但过长的时间,会使键合点的直径过大,出现键合焊点超出焊盘边界的现象,且会导致颈部强度降低或键合界面之间的空洞率增大。(4)键合温度(BondTemperature):加热能增加金属分子、原子的能量,加快两种紧密接触金属间的分子、原子相互扩散结合的速度。特别对于一些材料本身对应力敏感的芯片,可以适当降低超声功率和键合压力的情况下,增加温度以保证键合质量的可靠性。2.2 键合工艺方式选择所引进的设备能实现球形键合和楔形键合,两种键合方式都可以满足产品的技术要求。球焊劈刀为圆柱形对称工具,可实现任意方向的键合,对于手动操作设备在实际操作过程中会带来操作灵活性;楔焊劈刀外径比较大,一般配套送线器和切刀,对键合空间要求比较高,特别深腔键合要保证劈刀到墙体内壁的间距;球焊劈刀与楔焊劈刀实物图如图 2.2 所示。球焊键合、楔焊键合线弧如图 2.3 所示。

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 常红军;王晓春;费智霞;慕蔚;李习周;冯学贵;鲁明朕;;铜丝键合工艺研究[J];电子工业专用设备;2009年05期

2 孙甬,吴隆刚;直接法键合工艺制造PN结[J];沈阳工业大学学报;1989年04期

3 常红军;王晓春;慕蔚;李习周;鲁明朕;;铜丝键合工艺研究[J];中国集成电路;2009年07期

4 常红军;王晓春;费智霞;慕蔚;李习周;冯学贵;鲁明朕;;铜丝键合工艺研究[J];电子与封装;2009年08期

5 吕世骥,黄庆安,童勤义;场助GaAs-玻璃键合工艺的研究[J];半导体学报;1991年09期

6 于金伟;;田口试验设计在键合工艺参数优化中的应用[J];压电与声光;2012年04期

7 欧欣;陈静;武爱民;孙家胤;;采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)[J];功能材料与器件学报;2010年03期

8 宋云乾;;基于正交试验的金丝键合工艺参数优化[J];电子工艺技术;2014年02期

9 广明安;陈威;潘峰;;全自动引线键合机相关键合工艺分析[J];电子工业专用设备;2008年01期

10 王雁星;低弧度键合工艺的研究[J];微电子技术;1994年01期

相关会议论文 前5条

1 王哲;曾翔君;张永锋;杨旭;王兆安;;一种基于铝丝键合工艺的半桥型电力电子集成模块的研制[A];第12届全国电气自动化与电控系统学术年会论文集[C];2004年

2 焦洁;苏娟;郭等柱;张耿民;汪中;;基于阳极键合工艺的微型气室封装[A];第十四届全国质谱分析和检漏会议·第九届全国真空计量测试年会摘要及论文集[C];2007年

3 陈伟平;张丹;刘晓为;揣荣岩;;基于静电键合过程模型的工艺仿真[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年

4 陈明祥;易新建;甘志银;刘胜;;基于感应加热的MEMS键合工艺研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年

5 刘建;恩云飞;黄云;杨丹;;金铝键合寿命评价方法研究[A];2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2007年

相关硕士学位论文 前10条

1 李兆仁;光—MOS固体继电器金丝键合工艺开发与过程控制[D];西安电子科技大学;2019年

2 吕劲锋;功率晶体管封装中铜丝键合工艺的可靠性研究[D];电子科技大学;2010年

3 葛元超;集成电路键合工艺研究[D];复旦大学;2013年

4 栾冬;轧制紫铜箔与金丝球键合工艺研究[D];哈尔滨工业大学;2013年

5 王忠远;铜线键合工艺技术在封装中的研究与应用[D];电子科技大学;2013年

6 陈荣;静电柔性振膜型微泵的理论分析和相关键合工艺研究[D];上海交通大学;2008年

7 邓叶;ZnO/GaN直接键合工艺的研究[D];北京工业大学;2015年

8 吴茜茜;金丝球键合工艺影响因素分析及模型建立[D];苏州大学;2014年

9 佟路;GaN基LED芯片键合工艺研究[D];南京大学;2015年

10 彭聪;自蔓延反应键合工艺研究及应用[D];华中科技大学;2011年



本文编号:2796314

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianlidianqilunwen/2796314.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户aa336***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com