流延法制备铅基反铁电陶瓷及其储能行为研究
【学位单位】:内蒙古科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TQ174.75;TM53
【部分图文】:
径较大的低价阳离子,它与 O2-阴离子共同按照面心阳离子,其处于氧八面体的体心位置,配位数为 ABO3晶格中,A、B 及 O2-存在以下的容忍因子关系式2()BOR+RB、RO 分别代表上述三个离子的离子半径。然而,于 O2-离子具有一定的偏差,B 离子也不是与 6 个能小。所以存在容忍因子 t,t 的取值范围代表了为[66]:2()BOR+R
内蒙古科技大学硕士学位论文调控介电、相变场强及 P-E 图形等,可以得到具有高储能性ZrTi)O3(PLZT)为典型,如图 1.2 所示,高 Zr 含量(>90%)很小,但因为在该相区范围内的正交反铁电相与电场诱导转差大,所以该相区内反铁电体材料的相转变电场很高[28];由杂可以扩大高锆 PZT 材料的正交反铁电相区,根据容忍因子交反铁电相在电场中的稳定性,从而提高反铁电体的相转变可以看到,调节 Ti4+的含量同样可以调节反铁电相的位置。综 Ti4+的掺杂含量来提高高 Zr 含量 PLZT 组分陶瓷的反铁电相耐击穿强度、高储能密度和高储能效率的电容器介电层材料。
图 2.1 击穿场强统计与拟合示意图材料储能性的计算有两种方式:一是通过对 PremierⅡ型回线图积分计算所得,其主要包括储能密度(Wrec)和储所搭建的直接测试系统搜集储能材料内由电能转换为焦称之为直接测试法。通过对反铁电材料的电滞回线图积分计算得到的储能密公式为[77]: maxpprEdP
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本文编号:2816854
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