超薄锂镧锆氧固体电解质薄膜的制备与应用
【学位单位】:中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所)
【学位级别】:博士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TM912
【部分图文】:
超薄锂镧锆氧固体电解质薄膜的制备与应用1.2 固体电解质的分类及发展现状从固态电解质材料被研究开始,至今已经有大量的、不同类型的固体电解被报道。如图 1.1 所示[10],按照电解质材料不同,固体电解质主要分为:有类固体电解质、无机类固体电解质和有机无机复合固体电解质。
Miara 等[106]通过第一性原理计算不同元素对 LLZO 掺杂后产生的缺陷能。通过缺陷能的大小来判断不同元素在不同位置掺杂的可能性及掺杂价态。其计算公式(1-1)为E = E E ∑ (1-1)其中 Edefect为缺陷能,Epure为没掺杂时 LLZO 的势能,Edoped为掺杂之后 LLZO 的势能,Δni为掺杂过程中产生的原子数变化,μi为变化原子对应元素的化学势。图 1.10 是理论计算的结果[106],如图所示绿色元素代表对 LLZO 中 Li 位置的掺杂,红色元素代表对 LLZO 中 La 位置的掺杂,蓝色元素代表对 LLZO 中 Zr 位置的掺杂。对应元素颜色的深浅代表了缺陷能的大小,即掺杂的难易程度,颜色越深,缺陷能越小,掺杂后的产物越稳定。如图中 Al3+、Ga3+对 Li 位置的掺杂已经被实验确认,与计算结果吻合。[107-110]
Li+的作用力。所以提高 Li+的迁移率的方法为增大 Li+的迁移通道尺寸与降低对Li+的作用力。Li+的迁移率因素对离子电导率的影响很好的解释了硫化物固体电解质的离子电导率普遍高于氧化物固体电解质的现象。主要因为 S2-的尺寸半径比 O2-大,能够提供更大的 Li+迁移通道。S2-对 Li+的作用力比 O2-小,更方便 Li+的迁移。[38-40]目前,已有大量文献报道出利用元素掺杂法来提高 LLZO 的离子电导率,如利用 Ta[111-119]、Al[120, 121]、W[112, 122, 123]、Nb[124]、Sb[125]、Te[126]、Ga[127]、Ge[128]、Rb[129]元素对 LLZO 掺杂或者多种元素共掺杂[114, 130, 131]。表 1.1 列举了部分通过元素掺杂提高 LLZO 离子电导率的工作。其中Li6.4La3Zr1.4Ta0.6O12[119]通过单元素 Ta 的掺杂将 LLZO 的室温离子电导率提高到10 3S·cm-1,效果最佳。Wu 等[129]通过 Ga、Rb 两种元素的共掺杂,也得到了类似的数值。
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本文编号:2843604
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