Ge材料MOSFET源漏欧姆接触电阻的研究

发布时间：2020-12-08 21:02

　　我们处在一个电子信息产业迅猛发展的时代,而微电子产业是电子信息产业的支柱,在过去的几十年中,以Si为代表的半导体材料的应用让集成电路产业得以飞速发展。但随着科技的发展,半导体器件集成度要求的提高,半导体器件的尺寸变得越来越小,传统的Si材料面临着技术及物理极限上的挑战,单纯地通过缩短沟道长度来提高传统集成电路的集成度和提升半导体器件的性能已经变得越来越困难。为了进一步提高半导体器件的性能,迫切需要寻找另一种半导体材料,来弥补Si材料在这些方面上的不足。Ge因有着比Si更高的电子和空穴迁移率,且与Si材料成熟的半导体器件工艺相兼容而成为了最理想的候选材料。影响半导体器件性能的因素有很多,其中电阻是一个很重要的因素,半导体器件的总电阻是由半导体材料的体电阻和半导体器件源漏电极的接触电阻两部分组成。在半导体器件沟道尺寸较大的时候,源漏电极上的接触电阻占整个器件总电阻的比例很小,对半导体器件性能的影响有限,然而随着器件尺寸的不断缩小,半导体器件源漏电极上的接触电阻在整个器件总电阻中所占的比例越来越大,对半导体器件性能的影响也越来越大。为了减小半导体器件源漏电极上的接触电阻,提升半导体器件的性能... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：77 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

典型的NMOSFET结构图

(a)欧姆接触的I-V曲线；(b)肖特基接触的I-V曲线

(1-1)图1.3 m＞ s时，n 型半导体与金属接触能带图(a)接触前；(b)接触后从图 1.3(a)中我们可以看出在金属与半导体材料接触前半导体的费米能级高于金属材料的费米能级，即 m> s。由于半导体材料的费米能级比金属的费米能级要高，在金属与半导体形成接触时，半导体中的电子会向金属中流动，金属的表面由于电子的流失而带正电，半导体表面则带负电，但是整个系统仍然是电中性的，这样导致了金属表面的电势降低，半导体表面的电势升高，形成了一个空间电荷区，图 1.3(b)显示了理想状况下达到热平衡时金属与半导体材料接触时的能带图。当达到平衡状态后，不再有电子的流动

【参考文献】：
期刊论文
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博士论文
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本文编号：2905681