大容量碳化硅MOSFET模块及变流器应用关键技术研究

发布时间：2024-01-23 17:27

　　由于碳化硅(SiC)材料出色的物理特性,SiC MOSFET成为最有可能取代Si IGBT的电力电子器件。尤其在中/高压大功率应用场合,SiC MOSFET模块的出现势必将推动电力电子技术进入一个新的阶段。为了使SiC MOSFET模块可以更好地应用在电力电子变流器中,本文进行了如下工作:对目前最先进的大容量1700V、300A SiC MOSFET模块及Si IGBT模块的动静态性能进行测试与对比分析。发现了SiC MOSFET模块四个性能特点:(1)即使当Si IGBT模块的外部驱动电阻降为0Ω,其开关损耗也比采用常用外部驱动电阻的SiC MOSFET模块的高;(2)当外部驱动电阻大于某一个值时(如8Ω),SiC MOSFET模块开关时的最大瞬态dv/dt及di/dt(EMI)水平与Si IGBT模块的相似,但是其开关损耗比Si IGBT模块的小得多;(3)与Si IGBT模块开通电流尖峰与负载电流成指数关系(斜率逐渐减小)不同,SiC MOSFET模块的开通电流尖峰与负载电流成线性关系,所以在负载电流较大时,SiC MOSFET模块的开通电流尖峰有可能大于Si IGBT模块的开通...

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【学位级别】：博士

图1-3SiCMOSFET性能分类Figure1-3PerformanceclassificationofSiCMOSFETs[74]

本文编号：3883068