忆阻电路的韦库模型及其建模分析

发布时间：2017-08-23 07:26

  本文关键词：忆阻电路的韦库模型及其建模分析

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【摘要】：电流、电压、电荷和磁通是电路中的4个基本物理量,由此构成了包含忆阻器在内的4种基本元件。然而,最近文献提出,磁通和电荷是一对基本物理量,生成了以忆阻器、忆感器和忆容器引领的3类基本元件。以电阻-忆阻串联电路和忆阻蔡氏电路为例,基于磁通和电荷物理量,提出了忆阻电路的韦库模型,开展了相应的数学建模,并与伏安模型进行了比较分析。结果表明:采用伏安模型,忆阻是动态元件,导致电路的阶数增加;而采用韦库模型,忆阻是非动态元件,使得电路的阶数维持不变,有利于开展复杂忆阻电路的动力学特性分析。
【作者单位】： 常州大学信息科学与工程学院;
【关键词】： 忆阻器 电路元件 韦库关系 忆阻电路
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51277017) 江苏省高校自然科学研究面上项目(15KJB510001)
【分类号】：TM133
【正文快照】： 在电路理论中,电路和元件特性是由4个基本物理量即电流、电压、电荷和磁通来描述的。1971年,根据基本物理量组合完备性原理,Chua提出了基本电路元件四边形,包括电阻器、电感器和电容器3种元件和其导出的、以忆阻器命名的第4种元件[1]。Chua注意到存在6种不同的数学关系式把4个

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本文编号：723730