硅锗等离子体起辉的瞬态不稳定性研究

发布时间：2017-09-14 04:39

  本文关键词：硅锗等离子体起辉的瞬态不稳定性研究

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【摘要】：利用光发射谱(OES)监测技术对氢气(H_2)、硅烷(SiH_4)、锗烷(GeH_4)等离子体的起辉稳定时间进行瞬态在线原位监测,探索功率及压强对等离子体起辉稳定时间的影响规律。结果表明,功率对等离子体的起辉稳定性影响较大,即相比于较小功率,在较大功率下起辉时,等离子体需要长很多的时间才能达到稳定状态。但随着功率的增大,气压对起辉稳定性的影响逐渐变得明显。分析认为这种等离子体的起辉不稳定性主要是由硅烷(SiH_4)、锗烷(GeH_4)等气体的反扩散所造成,并进一步发现通过增加氢气流量,可有效降低SiH_4等气体的反扩散程度,缩短硅锗等离子体达稳定状态所需的时间。
【作者单位】： 中国科学院电工研究所中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室;
【关键词】： 光发射谱 瞬态不稳定性 反扩散 氢气流量
【基金】：国家重点基础研究发展(973)计划(2011CBA00705)
【分类号】：TM914.4;TN304
【正文快照】： 0引言非晶硅锗材料(a-Si Ge∶H)是一种用来制造光电器件,特别是高性能硅基薄膜叠层太阳电池的重要材料。具有较大的光学吸收系数及通过控制材料中的锗含量可方便地将其带隙宽度在1.1~1.8 e V的范围内进行连续调节[1],这些特点使a-Si Ge∶H材料非常适合与非晶硅(a-Si∶H)材料在，

本文编号：847926