基于混合拓扑的中压静止无功发生器的研究

发布时间：2017-09-28 13:46

  本文关键词：基于混合拓扑的中压静止无功发生器的研究

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【摘要】：为了进一步提高系统的功率密度,减低成本,采用基于三电平和H桥级联的混合型多电平拓扑,并且将低压IGBT的串联技术应用于三电平功率单元,避免使用高压功率半导体器件。三电平单元IGBT的开关频率为工频,而H桥采用载波移相PWM调制方式,还提出了两种功率单元的预充电策略,以及不同直流母线电压的均压控制方法。基于这种混合型拓扑,研制了10 k V、2.5 Mvar SVG样机。试验验证了方案的可行性,研究结果对于混合拓扑在SVG等产品上的应用具有重要参考价值。
【作者单位】： 台达电子企业管理(上海)有限公司;
【关键词】： 混合拓扑 电能质量 IGBT串联 多电平变换器 SVG
【分类号】：TM761.12
【正文快照】： 郑剑飞(1982—),男,工程师,主要从事电能质量治理技术、风电变流器控制技术的研究。应建平(1955—),男,教授级高级工程师,主要从事大功率电源拓扑和控制技术的研究。胡志明(1980—),男,工程师,主要从事大功率电源拓扑和驱动电路、电能质量治理技术的研究0引言静止无功发生器(S，

本文编号：936202