一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计

发布时间：2017-10-09 02:29

  本文关键词：一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计

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【摘要】：基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。
【作者单位】： 福州大学物理与信息工程学院;福建江夏学院电子信息科学学院;
【关键词】： 快速瞬态响应 类密勒补偿 无电容型LDO
【基金】：福建省科技厅-集成电路(IC)技术平台建设资助项目(2003Q013)
【分类号】：TM44
【正文快照】： 1引言随着便携式电子设备的普及,LDO因具有结构简单、无纹波、功耗低、体积小等优点,被广泛应用。随着片上系统的发展,越来越多的外围模块被集成到片内,LDO也不例外。片内LDO因无片外电容,存在两个问题:1)负载阶跃变化主要依靠调整管来响应,因静态电流小、调整管寄生电容大,系

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本文编号：997681