Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究

发布时间：2017-10-14 20:34

  本文关键词：Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究

  更多相关文章： 宽禁带半导体器件 GaN HEMT 共源共栅结构 输出伏安特性

【摘要】：近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅(Cascode)Ga N HEMT的出现使得Ga N器件可以在高压场合进行应用。本文首先研究了耗尽型Ga N HEMT及Cascode Ga N HEMT全范围输出伏安特性及其特点。结合Si MOSFET和耗尽型Ga N HEMT的特性,本文重点研究了Cascode Ga N HEMT的工作模态及其条件。最后,给出了500W基于600V Cascode Ga N HEMT单相全桥逆变器的实验验证。实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性。
【作者单位】： 北京交通大学电气工程学院电力电子研究所;
【关键词】： 宽禁带半导体器件 GaN HEMT 共源共栅结构 输出伏安特性
【基金】：北京市科技计划课题资助项目(Z141100003114011)
【分类号】：TN386;TM464
【正文快照】： Research on Output Volt-ampere Characteristics of Cascode Ga NHEMT and Its Application in Single-phase InverterLi Yan Zhang Yajing Trillion Q.Zheng Huang Bo Guo Xizheng(Institute of Power Electronics of Beijing Jiaotong University Beijing 100044 China)1

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 任小永;David Reusch;季澍;穆明凯;Fred C Lee;;氮化镓功率晶体管三电平驱动技术[J];电工技术学报;2013年05期

【共引文献】

中国博士学位论文全文数据库 前1条

1 张雅静;面向光伏逆变系统的氮化镓功率器件应用研究[D];北京交通大学;2015年

中国硕士学位论文全文数据库 前1条

1 李哲;定向结晶法制备高纯镓工艺的优化研究[D];东北大学;2014年

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 刘教民;李建文;崔玉龙;韩明;;高频谐振逆变器的功率MOS管驱动电路[J];电工技术学报;2011年05期

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 竺江峰,芦立娟,王建盛;利用二极管正向伏安特性的测量训练学生对系统误差的修正[J];大学物理实验;2004年04期

2 金花;许佐明;高颖;杨嘉祥;;水中交流电弧伏安特性仿真[J];电机与控制学报;2008年05期

3 周林燕;高健雄;;水体非线性伏安特性的研究[J];电子设计工程;2013年19期

4 肖景魁;张丽;;二极管伏安特性曲线测试技术探讨[J];沈阳教育学院学报;2007年02期

5 邓小磊;刘顺新;张松炜;;罗氏线圈在电弧伏安特性测量中的应用[J];自动化仪表;2011年08期

6 高伟;电桥法测二极管的伏安特性[J];物理实验;1994年04期

7 梁文俊;李坚;刘佳;金毓\，

本文编号：1033073