衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响

发布时间：2017-10-29 00:33

  本文关键词：衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响

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【摘要】：利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。
【作者单位】： 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室;云南师范大学太阳能研究所;
【关键词】： 衬底 非晶硅 铝诱导 退火 晶化
【基金】：国家自然科学基金联合基金(U1037604)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： 0引言高效、低成本和环境友好的太阳电池一直是人们追求的目标。晶体硅太阳电池由于需要大量原料,未来成本下降的空间有限。为此,薄膜太阳电池引起了人们的关注[1]。其中,非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池具有制造工艺简单,原材料用量少(仅为晶体硅的约1%[2]),易实现大面积生产,可在

【参考文献】

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【共引文献】

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【相似文献】

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本文编号：1110655