纳米线织构的多晶硅太阳电池研究

发布时间：2017-10-31 03:26

  本文关键词：纳米线织构的多晶硅太阳电池研究

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【摘要】：采用无电化学刻蚀技术,通过优化Ag NO_3浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000 nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70 nm Si_3N_4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO_3和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率。
【作者单位】： 上海交通大学微纳科学技术研究院;浙江大学信电系;
【关键词】： 硅纳米线阵列 太阳电池 陷光结构 表面复合
【基金】：国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050518) 国家重点基础研究发展(973)计划(2012CB934302)
【分类号】：TM914.41
【正文快照】： 0引言采用抗反射薄膜和金字塔结构是减少光伏器件表面反射的常用方法[1~3],但这些结构只有在很窄的入射波范围内才能达到低反射率。黑硅因其对近紫外到近红外波段的入射光几乎全部吸收[4~6],使原本灰色有光泽的表面看上去变成了黑色,这就是所谓“黑硅”,这种新材料一出现就引

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