超导线圈VPI过程动态模型分析

发布时间：2017-12-05 01:30

  本文关键词：超导线圈VPI过程动态模型分析

  更多相关文章： 超导磁体 真空压力浸渍 数值建模 流变特性

【摘要】：针对A15型超导磁体真空压力浸渍的实际需要,研究了超导磁体真空压力浸渍(VPI)的过程,并以渗流力学为基础对超导磁体恒温立式VPI动态过程进行了建模计算。由于浸渍树脂的流变特性会随时间变化,因此浸渍需要考虑到浸渍树脂的动态变化。对于浸渍中经常使用的两种低温性能良好的环氧树脂—DW3型和CTD101K型,采用流变仪对其流变特性进行了测量并以Arrhenius模型建立了固化模型。将树脂的固化模型带入恒温立式VPI动态模型进行计算,计算结果表明,浸渍区域的半径、浸渍温度、浸渍用环氧的种类和浸渍时间等因素都会影响到浸渍的最终结果。
【作者单位】： 中国科学院电工研究所;国网淄博供电公司;
【基金】：国家磁约束聚变科学专项(2011GB112002)
【分类号】：TM26;TM55
【正文快照】： 1引言超导磁体的核心是超导线圈或绕组,当线圈通电时,在线圈内部和绕组中产生强磁场,该磁场与导体电流间巨大的洛伦兹力将促使导体出现局部移动[1]。研究结果表明[2],导体移动是造成超导磁体过早失超、达不到设计性能的一个重要原因。因此,超导绕组的浸渍工艺是超导磁体制造的

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本文编号：1253105