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镍铁掺杂的GeTe基磁性相变材料模拟计算研究

发布时间:2017-12-09 13:09

  本文关键词:镍铁掺杂的GeTe基磁性相变材料模拟计算研究


  更多相关文章: GeTe 磁性相变材料 第一性原理计算 磁性调控


【摘要】:随着信息时代的高速发展,对于数据存储、处理的需求急剧增大,人们对于高性能存储材料的需求也大大增加。磁性相变材料因其集合了稀磁半导体材料和相变材料的两种特性,既具有稀磁半导体的自旋及半导体特性,又具备了相变结构变化导致光学、电学等物理特性产生变化的特点,受到了人们的广泛关注,认为它是新型逻辑功能器件的可靠应用材料。GeTe作为相变材料,是第一批被科学家发现同时具有快速相变,且相变前后具有相当大的电学特性的材料,由于其结晶温度高,相变前后特性差异较大,且在常温下相变结构很稳定的特点,在研究磁性相变材料的领域中占有一席之地。本文采用了第一性原理从头算模拟计算方法,结合赝势平面波方法,使用VASP软件包建立了Ni、Fe掺杂的GeTe基磁性相变材料结构模型,对其进行了一系列的结构优化,并通过分子动力学计算,得到了晶态和非晶态GeTe基磁性相变材料的两种结构模型。在此基础上,计算了不同掺杂浓度下Ge1-x FexTe材料和Ge1-xNixTe材料的磁矩、态密度和电子局域函数分布等,并与实验结果进行对比。计算结果表明,晶态GeTe材料在掺杂浓度达到一定浓度之前,其磁矩随掺杂浓度的提高比例上升,而在达到一定掺杂浓度之后,材料磁矩会随掺杂浓度的升高而降低;掺杂Ni和Fe元素的非晶态GeTe基磁性相变材料宏观上无磁矩。并结合态密度和电子局域函数分布分析了GeTe基磁性相变材料磁性的产生原因。这对磁性相变材料的磁性调控及用于新型逻辑功能器件的开发具有一定的意义。
【学位授予单位】:华中科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TM27

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本文编号:1270493

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