基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文）

发布时间：2018-01-03 20:12

  本文关键词：基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文）　出处：《红外与毫米波学报》2015年04期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm~(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中.
[Abstract]:GaSb polycrystalline films were prepared on transparent conductive ITO substrates by physical vapor deposition (PvD) method. The structure characteristics of GaSb films were investigated by substrate temperature and thickness. Under certain conditions, the preferred orientation of GaSb thin films changed from GaSbC111) to GaSbN220). This is a phenomenon not found in the growth of GaSb thin films on glass substrates. The crystalline GaSb thin films have higher Hall mobility, because the films have less intergranular boundaries and fewer defects. The optical absorption coefficient of the optimized GaSb films is 104 cm ~ (-1). -1) above. Suitable for thermal photovoltaic thin film solar cells.
【作者单位】： 南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
【基金】：Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513) National Basic Research Program of China(2012CB934201)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： IntroductionThermophotovoltaic devices are basically photovolta-ic solar cells that utilize the thermal infrared radiation ofa heated source to directly generate electric power.Sys-tem modelling and analysis indicates that low-bandgap(0.25 to 0.7 e V)TPV

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本文编号：1375409