硅基光功率监测技术的最新进展

发布时间：2018-03-11 00:37

  本文选题：硅基光电子器件　切入点：光功率监测器　出处：《光通信研究》2015年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。
[Abstract]:With the increase of the complexity of integrated optical path, it is necessary to monitor the integrated optical path in real time by using optical power monitor in the link without affecting the normal operation of the system. The latest research progress of silicon based optical power monitor is reviewed in this paper. Surface state absorption, two-photon absorption, and two-photon absorption are emphasized. The optical power monitoring schemes under the absorption mechanism of germanium and defect state and their advantages and disadvantages are discussed in detail. Finally, the great advantages of using the absorption mechanism of defect state to realize photoelectric conversion are discussed in detail.
【作者单位】： 浙江大学信息电子与工程学院;
【基金】：国家“九七三”计划资助项目(2013CB632105) 国家自然科学基金资助项目(61177055,61307074) 浙江省杰出青年科学基金资助项目(LR15F050002) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
【分类号】：TN256;TM933.3

【共引文献】

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本文编号：1595834