横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

发布时间：2018-03-21 21:09

  本文选题：忆阻器　切入点：横截面积　出处：《物理学报》2014年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：纳米钛氧化物忆阻器的导电过程因自身参数的改变及不同机理的共存而呈现复杂特性,但现有研究缺乏针对横截面积参数的改变对忆阻器导电特性影响的讨论.基于杂质漂移及隧道势垒机理,本文分析了忆阻器导电过程,研究了横截面积参数与导电过程中各关键物理要素间的关联,并基于此,分别研究了钛氧化物横截面积及隧道势垒横截面积的改变对忆阻器导电特性的影响,分析了两者的区别与联系.验证了两种机理共存情况下,相对于钛氧化物横截面积的改变,隧道势垒横截面积的改变是引发忆阻器导电特性变化的主要因素,且是导致忆阻器非理想导电特性的可能因素.研究成果有助于进一步解释忆阻器导电过程的复杂性,并为优化忆阻器模型的构建提供依据.
[Abstract]:The conductive process of nanocrystalline titanium oxide amnesia presents complex characteristics due to the change of its own parameters and the coexistence of different mechanisms. However, there is a lack of discussion on the influence of the change of cross-sectional area parameters on the electrical conductivity of the resistor. Based on the impurity drift and the tunneling barrier mechanism, this paper analyzes the conductive process of the memristor. The correlation between the cross-sectional area parameters and the key physical elements in the conducting process is studied. Based on this, the effects of the change of the cross-sectional area of titanium oxide and the cross-sectional area of the tunnel barrier on the conductive characteristics of the amnesia are studied respectively. The difference and relation between the two are analyzed. It is verified that the change of tunnel barrier cross section is the main factor that induces the change of electrical properties of amnesia compared with the change of titanium oxide cross-sectional area under the condition of coexistence of two mechanisms. The research results are helpful to further explain the complexity of the electrical conduction process of the resistor and provide the basis for optimizing the model construction of the resistor.
【作者单位】： 国防科学与技术大学电子科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61171017,F010505)资助的课题~~
【分类号】：TM54

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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4 许U，

本文编号：1645552