双层氮化硅薄膜对晶硅太阳电池性能的影响

发布时间：2018-03-30 09:06

  本文选题：太阳电池　切入点：PECVD　出处：《太阳能学报》2014年10期

【摘要】：利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的Si Nx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一子层折射率小于第二子层的双层减反射膜、单层减反射膜。通过光学和电学性能的比较可看出,第一种类型太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间均相对集中,其短路电流和开路电压均高于其他样品。该结果主要归结于该类型双层Si Nx∶H减反射膜不但光学匹配性好,而且对太阳电池的表面及体钝化效果最优。
[Abstract]:Three kinds of Si Nx:H antireflection films with different structures were prepared by tubular PECVD on silicon solar cells. The refractive index of the first sublayer (near the substrate silicon) was larger than that of the second layer. The refractive index of the first sublayer is less than that of the second sublayer, the double layer antireflection film and the single layer antireflection film. Through the comparison of optical and electrical properties, we can see that the short-circuit current of the first type of solar cell, The distribution range of open circuit voltage and cell efficiency is relatively concentrated, and its short circuit current and open circuit voltage are higher than other samples. The results are mainly attributed to the good optical matching of this type of double layer Si Nx:H antireflection film. And the surface and body passivation effect of solar cell is optimal.
【作者单位】： 山东力诺太阳能电力股份有限公司;燕山大学理学院;
【基金】：国家高技术研究发展(863)计划(2012AA050303;2011AA050504) 山东省自主创新成果项目(2010ZHZX1A0702;2011ZHZX1A0701)
【分类号】：TM914.4

【共引文献】

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6 查s，

本文编号：1685251