纳米针阵列Cu-O-Sb-Sn的制备及储锂性能

发布时间：2018-04-02 19:38

  本文选题：复合电极　切入点：纳米针阵列　出处：《电池》2014年06期

【摘要】：通过阳极氧化法在铜基体上生成Cu(OH)2纳米针阵列,以此为基体,使用脉冲电沉积法制备Cu(OH)2-Sb Sn前驱体,在400℃下煅烧2 h,得到Cu-O-Sb-Sn复合电极。用XRD、SEM和充放电测试,分析产物物相组成、形貌结构与电化学性能的关系。热处理后,具有纳米针阵列的Cu-O-Sb-Sn复合电极性能较好。以0.15 m A/cm2的电流密度在0.01~1.80 V充放电,首次可逆容量密度为1.68 m Ah/cm2,第50次循环的可逆容量密度为1.15 m Ah/cm2。热处理过程中生成的复杂多相和稳定的纳米针阵列结构,可提供足够的空间来缓解活性物质在充放电过程中的体积变化。
[Abstract]:The Cu(OH)2 nano-needle arrays were prepared by anodizing method on copper substrate. The precursor of Cu(OH)2-Sb Sn was prepared by pulse electrodeposition method. The Cu-O-Sb-Sn composite electrode was obtained by calcination at 400 鈩，

本文编号：1701817