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基于阳极氧化铝纳米光栅的薄膜硅太阳能电池双重陷光结构设计与仿真

发布时间:2018-04-14 20:41

  本文选题:薄膜硅太阳能电池 + 阳极氧化铝 ; 参考:《物理学报》2014年19期


【摘要】:本文提出了表面和底部均带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的薄膜硅太阳能电池双重陷光结构,利用FDTD软件仿真研究了AAO纳米光栅的周期、厚度和占空比对薄膜硅太阳能电池短路电流密度的影响,并对AAO结构参数进行了优化.仿真结果表明,表面AAO最佳结构参数是周期440 nm,厚度75 nm,占空比0.5,底部AAO最佳结构参数是周期380 nm,厚度90 nm,占空比为0.75.双重AAO组合陷光结构可有效增加薄膜硅太阳能电池在280—1100 nm范围内的光吸收,吸收相对增强可以达到74.44%.
[Abstract]:In this paper, the double trapping structure of thin film silicon solar cell with anodic aluminum oxide (AAO) nano-grating on the surface and bottom is presented. The period of AAO nanocrystalline grating is simulated by FDTD software.The effect of thickness and duty cycle ratio on short circuit current density of thin film silicon solar cell was studied. The structure parameters of AAO were optimized.The simulation results show that the optimal structural parameters of surface AAO are periodic 440 nm, thickness 75 nm, duty cycle 0.5, and the optimal structural parameter of bottom AAO is period 380 nm, thickness 90 nm, duty cycle 0.75.Double AAO combined trapping structure can effectively increase the optical absorption of thin film silicon solar cells in the range of 280-1100 nm, and the relative enhancement of absorption can reach 74.44.
【作者单位】: 天津工业大学理学院;
【基金】:国家自然科学基金(批准号:61274064)资助的课题~~
【分类号】:TM914.41

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号:1750933

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