一种可控静电双阱电场分布的计算与相关分析

发布时间：2018-04-24 06:07

  本文选题：原子与分子光学 + 可控制静电双阱　； 参考：《量子电子学报》2014年06期

【摘要】：给出了可控制静电双阱方案的静电场分布与几何参数的关系及囚禁中心位置与系统参数的依赖关系并作相关分析。研究表明,可通过改变方案的系统参数改变囚禁中心的位置、囚禁势阱的深度及势阱的体积,从而实现囚禁经过Stark减速器得到的冷分子,甚至通过选择合适的系统参数实现温度更高的冷分子囚禁。
[Abstract]:The relationship between the distribution of electrostatic field and geometric parameters and the dependence between the position of trapping center and the parameters of the system are given and the correlation analysis is made. The results show that the location of the trapping center, the depth of the trap well and the volume of the trap can be changed by changing the system parameters of the scheme, so that the cold molecules obtained through the Stark reducer can be trapped. Even by choosing the appropriate system parameters to achieve the higher temperature of cold molecular trapping.
【作者单位】： 巢湖学院电子工程与电气自动化学院;
【基金】：国家自然科学基金(11472063) 安徽省高校省级自然科学重点研究项目(KJ2012Z271) 安徽省高校省级自然科学研究项目(KJ2013Z227)
【分类号】：O441.4

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本文编号：1795451