微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究

发布时间：2018-05-10 14:14

  本文选题：铁电薄膜 + 微纳薄膜阵列　； 参考：《红外与毫米波学报》2014年02期

【摘要】：采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si-MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大,同时BNT/Si-MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向,尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点,且剩余极化强度可达93.8μC/cm2.
[Abstract]:The precursor was coated on the inner wall of silicon microchannel Si-MCPsubstrate by sol-gel and spin-coating method, and then the Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP microfilm array was prepared at 600 鈩，

本文编号：1869632