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基于PSPICE的IGBT宽频等效电路模型研究

发布时间:2018-06-04 23:52

  本文选题:IGBT + PSPICE仿真 ; 参考:《电源技术》2014年12期


【摘要】:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)阀是柔性直流换流系统的核心,建立实用准确的IGBT模型,对于模拟电磁骚扰源具有非常重要的意义。在IGBT等效电路基础上,采用复合模型法构造IGBT宽频等效电路模型,利用PSPICE软件的模型参数提取程序Parts分别提取功率MOSFET和BJT的模型参数。在此基础上,从IGBT的导电机理出发,用二极管的势垒电容表征其内部的压控寄生电容,建立其等效电路模型,并利用IGBT数据手册和计算相结合的方式提取寄生参数,仿真其稳态、动态特性。仿真结果和厂家给出的实测结果的对比,验证了该模型的正确性。
[Abstract]:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) valve is the core of flexible DC commutation system. It is very important to establish a practical and accurate IGBT model for simulating electromagnetic disturbance source. On the basis of IGBT equivalent circuit, the IGBT broadband equivalent circuit model is constructed by compound model method, and the model parameters of power MOSFET and BJT are extracted by the model parameter extraction program Parts of PSPICE software, respectively. On this basis, based on the conduction mechanism of IGBT, the internal voltage-controlled parasitic capacitance is characterized by the barrier capacitance of the diode, the equivalent circuit model is established, and the parasitic parameters are extracted by the combination of IGBT data manual and calculation. The steady and dynamic characteristics are simulated. The correctness of the model is verified by comparing the simulation results with the measured results.
【作者单位】: 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室;国网智能电网研究院电力电子研究所;
【基金】:国家电网公司科技项目(DL17201200040)
【分类号】:TM721.1

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本文编号:1979420

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