Ga、Al共掺杂及单掺杂ZnO基透明导电薄膜的研究

发布时间：2018-06-15 17:58

  本文选题：溶胶-凝胶法 + 薄膜　； 参考：《太阳能学报》2015年11期

【摘要】：采用溶胶-凝胶旋涂法制备出Ga、Al共掺杂和单掺杂Zn O基透明导电薄膜[Zn O∶(Ga,Al)(GAZO),Zn O∶Al(AZO)和Zn O∶Ga(GZO)],利用XRD、SEM、AFM、四探针电阻率测试仪和可见分光光度计测试技术,分析薄膜的结构、表面形貌和光电性能等。结果表明:薄膜表面光滑,呈六方纤锌矿结构,且沿C轴择优取向;与单掺杂薄膜相比,Ga、Al共掺杂可促进晶体生长,细化晶粒,并在一定范围内提高薄膜的透光率。与纯Zn O薄膜相比,共掺杂和单掺杂薄膜的电阻率均明显降低。
[Abstract]:Gan Al co-doped and single doped Zn O based transparent conductive films were prepared by sol-gel spin-coating method. The structure of the films was analyzed by means of XRDX SEMMAMAFM, four-probe resistivity tester and visible spectrophotometer. Surface morphology and photoelectric properties. The results show that the thin films have smooth surface, hexagonal wurtzite structure and preferential orientation along the C-axis, and the co-doping of Gaa-Al can promote the crystal growth, refine the grains and increase the transmittance of the films within a certain range. Compared with pure Zno films, the resistivity of co-doped and single-doped films is obviously decreased.
【作者单位】： 山东建筑大学材料科学与工程学院;教育部省部共建可再生能源建筑利用技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(51275279) 山东省科技发展计划(2010G0020318) 山东省自然科学基金(ZR2010EM062) 山东省教育厅科技计划(J12LA12) 济南市高校自主创新计划(201401233)
【分类号】：TM914.4

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2022970