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阴极缓冲层对有机太阳能器件性能的影响

发布时间:2018-08-29 10:50
【摘要】:分别选用LiF、8羟基喹啉铝(Alq_3)和浴铜灵(BCP)作为阴极缓冲层,制备结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(CuPc)/富勒烯(C_(60))/阴极缓冲层/Al的异质结有机太阳能电池,并研究有无缓冲层对器件性能的影响。结果表明:引入缓冲层后,器件的开路电压和短路电流密度及填充因子均有很大的提高。缓冲层的厚度对器件的性能影响很大,通过优化缓冲层厚度,以LiF、Alq_3和BCP为缓冲层的器件的能量转换效率相比没有缓冲层时分别提高了374%、362%和1086%。
[Abstract]:The heterojunction organic solar cells with indium tin oxide (ITO) / copper phthalocyanine (CuPc) / fullerene (C _ (60) / cathode buffer layer / Al were prepared by using LiF,8 hydroxyquinoline aluminum (Alq_3) and (BCP) as cathode buffer layer, respectively. The effect of buffer layer on device performance was studied. The results show that the open-circuit voltage, short-circuit current density and filling factor of the device are greatly improved when the buffer layer is introduced. The thickness of the buffer layer has a great influence on the performance of the device. By optimizing the thickness of the buffer layer, the energy conversion efficiency of the device with LiF,Alq_3 and BCP as the buffer layer is 37442% and 1086% higher than that without the buffer layer, respectively.
【作者单位】: 南京工业大学材料科学与工程学院;
【基金】:江苏高校优势学科建设工程
【分类号】:TM914.4

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号:2210976


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