大功率IGCT变流器钳位电路参数的设计方法
[Abstract]:The working state of buffer and clamp circuits during turn-off of integrated gate commutation thyristor (integrated gate commutated thyristor,IGCT) is analyzed. The differential equations of clamping capacitance voltage and snubber inductance current during turn-off are derived. On this basis, a design method of IGCT clamp circuit parameters is proposed. Compared with the empirical formula of ABB, the parameter design method of the proposed clamping circuit does not contain empirical coefficient, and the power level and system loss of the clamping resistor can be reduced by using the proposed method. Simulation and experimental results verify the feasibility of the proposed method.
【作者单位】: 西安交通大学电气工程学院;国家电网许继集团;
【基金】:国家863高科技基金项目(2012AA050206) 新世纪优秀人才支持计划项目~~
【分类号】:TM46
【参考文献】
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【共引文献】
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本文编号:2391925
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